报告题目：基于s-p杂化开发新型太阳能转化材料 

　　报告人：郝维昌教授  北京航空航天大学  

　　报告时间：2017年11月23日（星期四） 下午3:00 

　　报告地点：理化楼三楼会议室 

　　简历：郝维昌，男，博士，教授。2003在兰州大学获博士学位。2003年-2005年在北京航空航天大学物理系做博士后；2005年6月出站后留校工作；2013年8月任教授。在此期间，多次在日本东京工业大学、澳大利亚伍伦贡大学开展合作研究。中国物理学会会员、美国物理学会会员、美国化学学会会员。中国核物理学会正电子谱学专业委员会副主任；2012年获教育部自然科学二等奖(排名第3)。在国内外重要学术会议作特邀报告30余次。在Adv. Mater.、Energy Environ. Sci.、J. Phys. Chem. C、PRB、APL等杂志上发表论文80余篇，论文被他人引用1200余次。获得7项国家发明专利授权。主要的研究兴趣为氧化物材料电子结构，氧化物材料在环境及能源领域中的应用，二维纳米结构及器件。 

　　报告内容： 

　　半导体材料的电子结构决定其对太阳能光谱的吸收特征，电子结构还对光生电子空穴对电极电位，及其激发、迁移和复合的过程有重要的影响。基于半导体能带理论，上述物理过程取决于材料的带隙、费米面的位置及电子有效质量这些基本电子结构特征。有效质量可以用能量对波矢空间的二阶导数来描述。s和p电子形成的杂化轨道（s-p杂化）在空间具有各向异性的特征，通过选择合适元素可以在价带顶和导带底形成曲率较大的能带，就有可能获得较低的有效质量，从而获得高的电子空穴迁移率。在元素周期表IA-VIIA和IB-IIB区域选取那些丰度高、无毒、价格便宜的元素通过轨道杂化各向异性特征形成的化合物，有望获得高性能的太阳能转化材料。