7月14日，辽宁材料实验室格莱特国际研究中心（LAM-HGII）首席研究员Arnaud Caron教授应邀访问中国科学院兰州化学物理研究所，并作了题为“Chemo-mechanics of surface metallization of silicon”的学术报告。

Caron教授从硅基金属-半导体界面的重要性入手，详细解读了滑动Pt和Au单粗糙体在硅表面发生化学反应形成薄硅化物层的微观机制，揭示了法向力和滑动速度对原子至纳米级厚度的可控性。此外，通过功函数分析证实了硅化物的形成，往复滑动测量则展示了反应机制及速度依赖的材料转移阈值力。最后，Caron教授展示了粘-滑运动中特征长度与扩散长度的匹配关系，并给出了基于原子力显微镜的硅表面超薄电子材料原位合成新方法。

此次学术交流活动拓宽了所内研究人员在原子力显微镜探索材料表面界面反应与纳米尺度力学行为的学术视野，为双方深化交流合作提供了重要契机。

Caron教授作报告

交流研讨