日本国立佐贺大学教授应邀访问兰州化物所

  1027日,日本国立佐贺大学电气电子工程系西尾光弘(Mitsuhiro Nishio)教授和田中徹(Tooru Tanaka)副教授应邀访问中国科学院兰州化学物理研究所,期间分别作了题为“Growth of ZnTe-related alloys for pure-green light emitting diodes”和“Recent progress of ZnTe-based optoelectronic devices”的学术报告。 

  目前商业化的绿光LED主要基于InGaNGaP材料体系,但前者组分不易控制,后者为间接带隙半导体,因而与蓝光及红光LED相比,绿光LED的发光效率仍相对较低。西尾光弘教授团队致力于ZnTe基纯绿光LED的开发研究,该材料体系为直接带隙半导体,本征发光带即位于550nm的纯绿光区域,且制作成本较为低廉。西尾教授在报告中详细介绍了利用MOCVD外延方法获得pZnTe及其合金(ZnXMg1-XTeZnXMg1-XSeyTe1-y)高质量外延层的重要工艺,探讨了上述合金材料在构筑多量子阱体系和实现n型掺杂中的应用,并对ZnTe基绿光LED的最新研究进展做了评述。中间带太阳能电池可有效扩展太阳能电池的光吸收波段,进一步提高单节电池的理论转化效率,是目前新概念太阳能电池领域内的研究热点。田中徹副教授在报告中介绍了ZnTe:O基中间带太阳能电池中的多光子吸收现象,并进一步探讨了通过应用新窗口材料层等提高ZnTe:O基中间带太阳能电池性能的可能途径。 

  西尾光弘(Mitsuhiro Nishio)教授,1986年获日本国立名古屋大学工学研究科工学博士学位,历任日本国立佐贺大学理工学部电气电子工程系助理教授、讲师、副教授, 1999年起至今任教授。期间曾担任岡崎国立共同研究机构分子科学研究所副教授,佐贺大学Venture Business Laboratory副主任,佐贺大学理工学部电气电子工程系主任等职务。现为日本放射光学会、日本真空学会、电气学会、应用物理学会会员。主要从事IIVI族化合物半导体材料的外延生长以及其光电器件的研究开发。在高质量ZnTe基合金外延层的MOCVD生长、高效ZnTe基纯绿光发光二极管的开发和商业化应用等领域有重要贡献。合著专著13部,在国际重要刊物发表论文180多篇。 

  田中徹(Tooru Tanaka)副教授,2000年获日本国立丰桥技术科学大学电气电子工程系工学博士学位,20004月至20091月任日本国立佐贺大学理工学部电气电子工程系助理教授,20092月至今任副教授;200910月至20109月,在美国劳伦斯伯克利国家实验室做访问学者,201010月起兼任日本科学技术振兴机构(JSTPRESTO研究员。现为美国电气和电子工程师协会(IEEE)、日本放射光学会、日本应用物理学会、日本电气学会会员。主要从事新型高效绿色发光二极管、中间带半导体太阳能电池、以及多元化合物半导体薄膜太阳能电池的研究开发。已在Appl. Phys. Lett.J. Appl. Phys.等国际重要期刊发表文章120多篇。

  

西尾光弘(Mitsuhiro Nishio)教授作报告  

 

田中徹(Tooru Tanaka)副教授作报告

未经中国科学院兰州化学物理研究所书面特别授权,请勿转载或建立镜像,违者依法必究